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STS05DTP03分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列规格书PDF中文资料

厂商型号 |
STS05DTP03 |
参数属性 | STS05DTP03 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列;产品描述:TRANS NPN/PNP 30V 5A 8SO |
功能描述 | Dual NPN-PNP complementary bipolar transistor |
封装外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
文件大小 |
236.24 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 10:43:00 |
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STS05DTP03规格书详情
STS05DTP03属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列。由意法半导体集团制造生产的STS05DTP03晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管,这些晶体管可在电气上完全隔离,也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性,采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。
产品属性
更多- 产品编号:
STS05DTP03
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN,PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
5A
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
30V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
700mV @ 250mA,5A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
1µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 1A,2V
- 功率 - 最大值:
2W
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SOIC
- 描述:
TRANS NPN/PNP 30V 5A 8SO
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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