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| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package | SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司 | Samhop | ||
N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 | DOINGTER | ||
N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package. | SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司 | Samhop | ||
SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). | SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司 | Samhop | ||
SoftRecoveryBehaviourUltraFastRecoveryEpitaxialDiodes | SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司 | SIRECTIFIER | ||
UltraFastRecoveryEpitaxialDiodes | SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司 | SIRECTIFIER | ||
UltraFastRecoveryEpitaxialDiodes | SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司 | SIRECTIFIER | ||
SoftRecoveryBehaviourUltraFastRecoveryEpitaxialDiodes | SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司 | SIRECTIFIER | ||
SurfaceMountSiliconZenerDiodes VZ:3.3-200Volts PD:1.5Watts Features ◇CompleteVoltageRange3.3to200Volts ◇Highpeakreversepowerdissipation ◇Highreliability ◇Lowleakagecurrent ◇Pb/RoHSFree | LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司 | LUGUANG | ||
SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:1.5Watts FEATURES: *CompleteVoltageRange3.3to200Volts *Highpeakreversepowerdissipation *Highreliability *Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree | EIC EIC discrete Semiconductors | EIC |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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