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STQ3N45K3-AP	文件：1.245 Mbytes Page：26 Pages	a Phase-Dimmable, Primary-Side Regulated LED Driver 文件：1.245 Mbytes 页数：26 Pages	TI 德州仪器	TI
STQ3N45K3-AP	文件：877.3 Kbytes Page：14 Pages	Very low intrinsic capacitance 文件：877.3 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STQ3N45K3-AP	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 450 V, 3.2 Ohm, 1.8 A, TO-92 SuperMESH3(TM) Power MOSFET This SuperMESH3™ Power MOSFET is the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. This device boasts an extremely low on-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering it suitable for • 100% avalanche tested\n• Extremely high dv/dt capability\n• Gate charge minimized• Very low intrinsic capacitance\n• Improved diode reverse recovery characteristics\n• Zener-protected;	ST 意法半导体	ST
STU3N45K3	文件：838.56 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 450 V - 3.3 廓 typ., 1.8 A Zener-protected SuperMESH3??Power MOSFET in a IPAK package 文件：838.56 Kbytes 页数：14 Pages	STATEK	STATEK
STU3N45K3	文件：838.56 Kbytes Page：14 Pages	Gate charge minimized 文件：838.56 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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更多STQ3N45K3-AP供应商更新时间2025-10-6 14:14:00