订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>STQ2NK60ZR-AP>详情
STQ2NK60ZR-AP_STMICROELECTRONICS/意法半导体_MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92和润天下电子
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
STQ2NK60ZR-AP
- 功能描述:
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
SuperMESH™
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
相近型号
- STQ-2016ZSB
- STQ1NK80ZR-AP
- STR2005
- STQ1NK80ZR0AP
- STR2550
- STQ1NK60ZR-AP
- STR2A153D
- STQ1NC60R-AP
- STR2N2VH5
- STQ1NC45R-AP
- STQ1HNK60R-AP
- STR2P3LLH6
- STQ1553-45
- STQ1016Z
- STR30110
- STPTIC-82G2C5
- STR30130
- STPTIC-47G1H5
- STR3A151D
- STPTIC-27L2C4
- STR3A152D
- STPSC8TH13TI
- STR3A154
- STPSC8H065G-TR
- STR41090
- STPSC8H065G2Y-TR
- STR485ELVQT
- STPSC8H065FP
- STR485LVQT
- STPSC8H065DLF
- STR50103A
- STPSC8H065DI
- STR5412
- STPSC8H065D
- STR5A464S-TL
- STPSC8H065BY-TR
- STR6020S
- STPSC8H065B-TR
- STR7101
- STPSC806G-TR
- STR7102
- STPSC806D
- STR710FZ1H6
- STPSC8065DY
- STR710FZ1T6
- STPSC8065D
- STR710FZ2
- STPSC6H065G-TR
- STR710FZ2H6
- STPSC6H065DLF