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STPSC8H065C | High forward surge capability 文件：152.96 Kbytes 页数：8 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
High forward surge capability 文件：152.96 Kbytes 页数：8 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
STPSC8H065C | 650 V power Schottky silicon carbide diode 碳化硅（SiC）二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管，是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。\n 这款双管配置的二极管特别适用于交错或无桥拓扑，可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。 • 无反向恢复，或反向恢复可忽略\n• 开关行为受温度影响小• 高耐正向浪涌电流能力; | ST 意法半导体 | ST | |
Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO220 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS |
技术参数
- Number of Diodes_spec：
2
- Marketing Status：
Active
- Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)：
650
- Average Rectified Current_max(A)：
8
- VF_max(V)：
1.75
- VF measure condition_spec(@ IF)(A)：
4
- Reverse Current_max(mA)：
0.04
- Total capacitive charge(nC)：
12.5
- Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)：
38
- Junction Temperature_max(°C)：
175
- General Description：
650 V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
22+ |
TO-220 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-220 |
94753 |
询价 | |||
ST |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
ST |
1708+ |
? |
7500 |
只做原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
STM |
25+ |
TO-220 |
1675 |
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询价 | ||
22+ |
NA |
25 |
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询价 | |||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
6900 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 |
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更新时间2025-11-21 14:02:00
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