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STPSC6H12 | 1200 V power Schottky silicon carbide diode 文件：267.7 Kbytes 页数：8 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
丝印：STPSC6H12；Package：DPAKHV2L；1200 V power Schottky silicon carbide diode 文件：267.7 Kbytes 页数：8 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
STPSC6H12 | 1200 V power Schottky silicon carbide diode ST这款1200V高性能二极管专为光伏逆变器或要求极低开关损耗的应用而设计。\n 无论温度高低，STPSC6H12都能进行高频率运作，因此可提升2%的应用效率。\n DPAK封装中间的pin脚已移除，以符合IEC60664与UL 840标准对更高电压的要求。\n 这些特性使其成为了同级产品中非常出色的1200V二极管。 • 高频率续流/升压二极管\n• 强大的高电压外设• 超快速高压开关高的温度稳定性。; | ST 意法半导体 | ST | |
Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 1.2KV 6A DPAK | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS |
技术参数
- Number of Diodes_spec：
1
- Marketing Status：
Active
- Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)：
1200
- Average Rectified Current_max(A)：
6
- VF_max(V)：
1.9
- VF measure condition_spec(@ IF)(A)：
6
- Reverse Current_max(mA)：
0.4
- Total capacitive charge(nC)：
30
- Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)：
100
- Junction Temperature_max(°C)：
175
- General Description：
1200 V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
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ST |
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DPAK |
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更新时间2025-10-12 14:02:00
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