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STPSC5H12	文件：469.33 Kbytes Page：10 Pages	1200 V power Schottky silicon carbide diode 文件：469.33 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC5H12B-TR1	文件：469.33 Kbytes Page：10 Pages	丝印：STPSC5H12；Package：DPAKHV2L；1200 V power Schottky silicon carbide diode 文件：469.33 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC5H12D	文件：469.33 Kbytes Page：10 Pages	丝印：STPSC5H12D；Package：TO-220AC；1200 V power Schottky silicon carbide diode 文件：469.33 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC5H12	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200 V、5 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管该款碳化硅（SiC）二极管可采用TO-220AC和DPAK HV封装，是一款超高性能的功率肖特基二极管，并使用碳化硅基板制造。宽带隙材料可用于设计1200 V额定电压的低VF（正向压降）肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。\n\n ST碳化硅（SiC）二极管特别适用于PFC和二次侧应用，可在硬开关条件下大幅提升效能。这款二极管将增强目标应用的性能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。 • 无反向恢复，或反向恢复可忽略 \n• 开关行为受温度影响小 \n• 强大的高电压外设 \n• 工作结温，范围从-40 °C 到 175 °C \n• 低VF（正向压降） \n• ECOPACK®2 兼容;	ST 意法半导体	ST
STPSC5H12B-TR1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STPSC5H12D	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220AC	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Number of Diodes_spec：
1
Marketing Status：
Active
Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)：
1200
Average Rectified Current_max(A)：
5
VF_max(V)：
1.5
VF measure condition_spec(@ IF)(A)：
5
Reverse Current_max(mA)：
0.03
Total capacitive charge(nC)：
36
Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)：
71
Junction Temperature_max(°C)：
175
General Description：
1200 V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多STPSC5H12供应商更新时间2025-12-1 9:50:00

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