600 V 碳化硅功率肖特基二极管

碳化硅（SiC）二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管，是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计600V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。\n\n ST碳化硅（SiC）二极管能在硬开关条件下大幅提升PFC操作的性能。 • 无反向恢复，或反向恢复可忽略 \n• 开关行为受温度影响小 \n• 特别适用于PFC升压二极管功能;

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意法半导体

600 V power Schottky silicon carbide diode

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Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247

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SPECIFICATIONS FOR NICHIA CHIP TYPE WHITE LED

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NICHIA

日亚

TURBOSWITCH ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE

DESCRIPTION The TURBOSWITCH is a very high performance series of ultra-fast high voltage power diodes from 600V to 1200V. ■ SPECIFIC TO “FREEWHEEL MODE” OPERATIONS: FREEWHEEL OR BOOSTER DIODE. ■ ULTRA-FAST AND SOFT RECOVERY. ■ VERY LOW OVERALL POWER LOSSES IN BOTH THE DIODE AND THE COMPANION T

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TURBOSWITCH ULTRA-FAST HIGH VOLTAGE DIODE

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