2 x 650V串联、10 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

碳化硅（SiC）二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管，是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系，关断时不存在反向恢复现象，且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。\n\n 这款双管配置的650 V二极管特别适用于特定的无桥拓扑，可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。 • 无反向恢复，或反向恢复可忽略 \n• 开关行为受温度影响小 \n• 适用于特定的无桥拓扑 \n• 高耐正向浪涌电流能力 \n• 绝缘封装： \n •Capacitance: 7 pF \n •Insulated voltage: 2500 V rms;

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意法半导体

丝印：STPSC10TH13TI；Package：TO-220AB；Dual 650 V power Schottky silicon carbide diode in series

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意法半导体

Package：TO-220-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO220

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TO-247

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原厂封装

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