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STRW-640-S	文件：232.17 Kbytes Page：2 Pages	SealedTactSwitch	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
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STRW-640-V	文件：232.17 Kbytes Page：2 Pages	SealedTactSwitch	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
STRW-640-VTR	文件：232.17 Kbytes Page：2 Pages	SealedTactSwitch	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
SUPRAHD-640	文件：116.99 Kbytes Page：2 Pages	ReferenceDesign	ZoranZoran Corporation 卓然美国卓然股份有限公司	Zoran
SVD640D	文件：406.39 Kbytes Page：8 Pages	18A,200VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVD640T/D/FisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryS-RinTM structuremiddle/low-voltageVDMOStechnology.Theimprovedplanar stripecellandtheimprovedguardringterminalhavebeenespecially tailore	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVD640DTR	文件：406.39 Kbytes Page：8 Pages	18A,200VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVD640T/D/FisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryS-RinTM structuremiddle/low-voltageVDMOStechnology.Theimprovedplanar stripecellandtheimprovedguardringterminalhavebeenespecially tailore	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVD640F	文件：406.39 Kbytes Page：8 Pages	18A,200VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVD640T/D/FisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryS-RinTM structuremiddle/low-voltageVDMOStechnology.Theimprovedplanar stripecellandtheimprovedguardringterminalhavebeenespecially tailore	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVD640S	文件：368.31 Kbytes Page：9 Pages	18A,200VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVD640T/D/SisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryS-RinTM structureVDMOStechnology.Theimprovedprocessandcellstructure havebeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,provide super	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SVD640STR	文件：368.31 Kbytes Page：9 Pages	18A,200VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVD640T/D/SisanN-channelenhancementmodepowerMOSfield effecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietaryS-RinTM structureVDMOStechnology.Theimprovedprocessandcellstructure havebeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,provide super	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN

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详细参数

型号：
STPS640CF
功能描述：
肖特基二极管与整流器
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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