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TMBRF30100CT	文件：337.83 Kbytes Page：2 Pages	DualSchottkyBarrierRectifiersReverseVoltage100Volts,ForwardCurrent30A ReverseVoltage100Volts,ForwardCurrent30A FEATURES ●AverageOutputRectifiedCurrent :IO=30A. ●RepetitivePeakReverseVoltage :VRRM=100V. ●LowForwardVoltage. ●LowReverseCurrent. APPLICATIONS ●Converter&Chopper ●SwitchingModePowerSupply	FS First Silicon Co., Ltd	FS
V30100C	文件：140.91 Kbytes Page：5 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V30100C	文件：163.53 Kbytes Page：5 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V30100C	文件：167.4 Kbytes Page：5 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.455VatIF=5A UltraLowVF=0.455VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V30100CI	文件：136.09 Kbytes Page：5 Pages	DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V30100CI	文件：136.73 Kbytes Page：5 Pages	DualHighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICA	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V30100P	文件：96 Kbytes Page：4 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.57VatIF=8A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •Solderdip260°C,40s •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC TYPIC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V30100PW	文件：77.36 Kbytes Page：4 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V30100PW	文件：83.58 Kbytes Page：4 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.58VatIF=8A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V30100S	文件：168.56 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.39VatIF=5A UltraLowVF=0.39VatIF=5A FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Lowthermalresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathte	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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