STP9NM60N中文资料N-channel 600 V, 0.63 Ohm, 6.5 A TO-220 MDmesh(TM) II Power MOSFET数据手册ST规格书
STP9NM60N规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh™ technology. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high-efficiency converters.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
技术参数
- 型号：
STP9NM60N
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 600V 0.63 Ohm 6.5A MDmesh II PWR
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2450+ |
TO-220 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-2-3 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
8860 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
16900 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
TO-220-3 |
10000 |
原装公司现货 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-220 |
2983 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
ST |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 |
