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STP9NM50N	文件：372.14 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 7.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.26Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：372.14 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STP9NM50N	文件：491.49 Kbytes Page：17 Pages	N-channel 500V - 0.47廓 - 7.5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh??Power MOSFET 文件：491.49 Kbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STP9NM50N	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220	ST 意法半导体	ST
STD9NM50N	文件：299.05 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 7.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.26Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.05 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STD9NM50N	文件：324.12 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：324.12 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STD9NM50N	文件：491.49 Kbytes Page：17 Pages	N-channel 500V - 0.47廓 - 7.5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh??Power MOSFET 文件：491.49 Kbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STP9NM50N
功能描述：
MOSFET N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多STP9NM50N供应商更新时间2026-2-1 14:00:00

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