STP8NM60中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
STP8NM60规格书详情
FEATURES
• Drain Current –ID= 8A@ TC=25℃
• Drain Source Voltage-
: VDSS= 600V(Min)
• Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 1Ω (Max)
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
• Switching application
产品属性
- 型号:
STP8NM60
- 功能描述:
MOSFET N-Ch 600 Volt 8 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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