STP8NM50N中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
STP8NM50N规格书详情
FEATURES
• Drain Current –ID= 5A@ TC=25℃
• Drain Source Voltage-
: VDSS= 500V(Min)
• Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 790mΩ (Max)
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
• Switching application
产品属性
- 型号：
STP8NM50N
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
20 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-220-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
T0-220 |
32360 |
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询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST |
25+23+ |
TO-251 |
20537 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
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询价 | ||
NEC |
25+ |
TO-TO-220 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
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原装正品现货支持实单 |
询价 |
