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STP65N150M9中文资料N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-220 package数据手册ST规格书

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厂商型号

STP65N150M9

功能描述

N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-220 package

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-24 11:06:00

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STP65N150M9规格书详情

描述 Description

该N沟道功率MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术,该技术适用于单位面积导通电阻RDS(on)非常低的中/高电压MOSFET。基于硅的M9技术采用多漏制造工艺,支持增强型器件结构。在所有硅基快速开关超结功率MOSFET中,运用此工艺制造的产品具有较低的导通电阻并降低了栅极电荷值,特别适合需要超高功率密度和出色效率的应用。

特性 Features

• 品质因数RDS(on)*Qg在硅基器件中非常出色
• 更高的VDSS额定值
• 更高的dv/dt性能
• 出色的开关性能
• 易于驱动
• 经过100%雪崩测试
• 稳压保护

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