STP5NK80Z中文资料N沟道800 V、1.9 Ohm、4.3 A有齐纳管保护的SuperMESH(TM) 功率MOSFET，TO-220封装数据手册ST规格书
STP5NK80Z规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in on-resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.
特性 Features
• Extremely high dv/dt capability
• Gate charge minimized
• 100% avalanche tested
• Very low intrinsic capacitance
技术参数
- 制造商编号
：STP5NK80Z
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：2.4
- Drain Current (Dc)_max(A)
：4.3
- PTOT_max(W)
：110
- Qg_typ(nC)
：32.4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2016+ |
TO-220 |
6000 |
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ST |
23+ |
TO-220 |
8795 |
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ST(意法半导体) |
2024+ |
TO-220-3 |
500000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
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ST/意法 |
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TO-220 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
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ST/意法 |
21+ |
TO-220-3 |
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ST(意法) |
24+ |
TO-220(TO-220-3) |
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ST |
24+ |
CAN |
500000 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
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