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STP50N06FI	文件：201 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.022Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATION	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP50N06L	文件：199.83 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.024Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■LOGICLEVELCOMPATIBLEINPUT ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■APPL	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP50N06LFI	文件：199.83 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODELOWTHRESHOLDPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.024Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■LOGICLEVELCOMPATIBLEINPUT ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■APPL	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP50N06LFI	文件：2.1404 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SUD50N06	文件：69.59 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel60-V(D-S)175CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SVD50N06MJ	文件：979 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SVD50N06T	文件：1.10053 Mbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SVD50N06T	文件：981.24 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SVD50N06T	文件：1.28745 Mbytes Page：6 Pages	50A,60VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
SW50N06	文件：594.82 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET [SEMIPOWER] GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedinCHMCwithadvancedVDMOSprocess,planarstripe.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
SW50N06	文件：1.28744 Mbytes Page：6 Pages	50A,60VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET GeneralDescription ThisN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorusingTHINKISemiconductoradvancedplanarstripe,DMOStechnologyintendedforoff-lineswitchmodepowersupply. Also,especiallydesignedtominimizerds(on)andhighruggedavalanchecharacteristics.TheTO-220	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
SW50N06	文件：981.21 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SW50N06A	文件：576.2 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET(TO-220F,TO-220)	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SW50N06A	文件：494.04 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET(TO-251,TO-252) GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN. ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitab	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SW50N06T	文件：747.07 Kbytes Page：6 Pages	N-channelD-PAK/TO-220MOSFET GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN. ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitabl	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SW50N06V	文件：724.88 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementmodeTO-220/TO-252MOSFET GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedtechnologyofSAMWIN. ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics. Features ●Highruggedne	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWD50N06A	文件：494.04 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET(TO-251,TO-252) GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN. ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitab	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWD50N06A	文件：887.27 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SWF50N06A	文件：1.48675 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SWF50N06A	文件：576.2 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET(TO-220F,TO-220)	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER

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更多STP50N06,50N06供应商更新时间2024-9-23 17:08:00

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