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P4NC60	文件：356.26 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL600V-1.8ohm-4.2ATO-220/TO-220FP/I2PAKPowerMesh?줚IMOSFET DESCRIPTION ThePowerMESH™IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gate chargeandruggedness. ■TYPICALRDS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
P4NC60A	文件：1.08657 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
P4NC60AFP	文件：338.71 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL600V-1.8ohm-4.2ATO-220/TO-220FP/I2PAKPowerMesh?줚IMOSFET DESCRIPTION ThePowerMESH™IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY™.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gate chargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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TSM4NC60CI	文件：416.33 Kbytes Page：6 Pages	Advancedplanarprocess	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC

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