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STP310N10F7中文资料N沟道100 V、2.3 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET，TO-220封装数据手册ST规格书
STP310N10F7规格书详情
描述 Description
该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。
特性 Features
• 超低导通电阻
• 经过100％雪崩测试
技术参数
- 制造商编号
：STP310N10F7
- 生产厂家
：ST
- Package
：TO-220AB
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：100
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0027
- Drain Current (Dc)_max(A)
：180
- PTOT_max(W)
：315
- Qg_typ(nC)
：180
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-220-3 |
16900 |
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询价 | ||
ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO220 |
8900 |
进口原装现货 |
询价 | ||
STM |
23+ |
TO-220-3 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ST(意法) |
25+ |
5000 |
只做原装 假一罚百 可开票 可售样 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
52000 |
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询价 | |||
ST(意法半导体) |
2447 |
TO-220-3 |
105000 |
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