STP180N4F6 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个 STMICROELECTRONICS/意法半导体

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厂家型号：
STP180N4F6
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
生产厂商：
STMICROELECTRONICS/意法半导体
库存数量：
100
产品封装：
NA
生产批号：
23+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-5-23 11:33:00

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详细信息
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原厂料号：STP180N4F6品牌：STMICROELECTRONICS

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STP180N4F6是分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个。制造商STMICROELECTRONICS/STMicroelectronics生产封装NA/TO-220-3的STP180N4F6晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

芯片型号：
STP180N4F6
规格书：
下载
企业简称：
STMICROELECTRONICS【意法半导体】详情
厂商全称：
STMicroelectronics
中文名称：
意法半导体（ST）集团
内容页数：
13 页
文件大小：
680.85 kb
资料说明：
N-channel 40 V, 2.1 mΩ typ., 120 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a TO-220 package

产品属性

类型
描述
产品编号：
STP180N4F6
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列：
STripFET™ F6
包装：
管件
FET 类型：
N 通道
技术：
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
4.5V，10V
功率耗散（最大值）：
190W（Tc）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
TO-220
封装/外壳：
TO-220-3
描述：
MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220

供应商

企业：
深圳市德力诚信科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
王女士
手机：
13305449939
询价：
电话：
13305449939
传真：
0534-7058298
地址：
深圳市福田区福田街道福南社区深南中路3031号汉国城市商业中心3204

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