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STP16NE06L中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

STP16NE06L
厂商型号

STP16NE06L

功能描述

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE] POWER MOSFET

文件大小

70.66 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-6 11:01:00

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STP16NE06L规格书详情

DESCRIPTION

This Power Mosfet is the latest development of SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size” process whereby a single body is implanted on a strip layout structure. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalance characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturingreproducibility.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.09 Ω

■ AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ 175oC OPERATING TEMPERATURE

■ HIGH dV/dt CAPABILITY

■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION

APPLICATIONS

■ DC MOTOR CONTROL

■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS

■ SYNCHRONOUS RECTIFICATION

产品属性

  • 型号:

    STP16NE06L

  • 功能描述:

    MOSFET TO-220 N-CH 60V 16A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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