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STP120N10F4

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance; -RDS(on) = 10mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:371.85 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

STP120N10F4

丝印:120N10F4;Package:TO-220;N-channel 100 V, 8 m廓 typ., 120 A, STripFET??DeepGATE?? Power MOSFETs in D2PAK and TO-220 packages

文件:949.58 Kbytes 页数:18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STP120N10F4

Low gate charge

ST

意法半导体

STP120N10F4

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:MOSFET N-CH 100V TO-220

STMICROELECTRONICS

意法半导体

产品属性

  • 产品编号:

    STP120N10F4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    120A(Tc)

  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):

    10V

  • Vgs(最大值):

    ±20V

  • 功率耗散(最大值):

    300W(Tc)

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 描述:

    MOSFET N-CH 100V TO-220

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多STP120N10F4供应商 更新时间2026-2-1 9:38:00