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STP120N10F4分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

STP120N10F4
厂商型号

STP120N10F4

参数属性

STP120N10F4 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 100V TO-220

功能描述

N-channel 100 V, 8 m廓 typ., 120 A, STripFET??DeepGATE?? Power MOSFETs in D2PAK and TO-220 packages
MOSFET N-CH 100V TO-220

丝印标识

120N10F4

封装外壳

TO-220 / TO-220-3

文件大小

949.58 Kbytes

页面数量

18

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
STMICROELECTRONICS
数据手册

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更新时间

2025-8-4 16:57:00

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STP120N10F4规格书详情

STP120N10F4属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由意法半导体集团制造生产的STP120N10F4晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    STP120N10F4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    120A(Tc)

  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):

    10V

  • Vgs(最大值):

    ±20V

  • 功率耗散(最大值):

    300W(Tc)

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 描述:

    MOSFET N-CH 100V TO-220

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