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STP03D200	文件：300 bytes Page：1 Pages	2kV NPN达林顿晶体管; • Extra high voltage capability \n• High gain characteristic; The STP03D200 is made by two extra high voltage NPN transistors in Darlington configuration housed in a single package. The resulting device shows high gain performance.\n\n	STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	ST
STP03D200	文件：80.29 Kbytes Page：7 Pages	2kV NPN Darlington transistor Description TheSTP03D200ismadebytwoextrahighvoltageNPNtransistorsinDarlingtonconfigurationhousedinasinglepackage.Theresultingdeviceshowshighgainperformance. Features ■Extrahighvoltagecapability ■Highgaincharacteristic Application ■Activestart-upnetworkin3	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP03D200	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 1200V 0.1A TO220	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BZT03D200	文件：261.82 Kbytes Page：5 Pages	SiliconZener-DiodeswithSurgeCurrentSpecification	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZT03D200	文件：112.23 Kbytes Page：5 Pages	ZenerDiodeswithSurgeCurrentSpecification	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZT03D200	文件：126.06 Kbytes Page：6 Pages	ZenerDiodeswithSurgeCurrentSpecification	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BZT03D200	文件：268.51 Kbytes Page：3 Pages	ZenerDiodeswithSurgeCurrentSpecification	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BZT03D200	文件：233.18 Kbytes Page：4 Pages	POWERDISSIPATION:3.25W Features ◇Hermeticallysealedpackage ◇Clampingtimeinpicoseconds	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BZT03D200	文件：2.92828 Mbytes Page：4 Pages	ZenerDiodes Features ◇Hermeticallysealedpackage ◇Clampingtimeinpicoseconds	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BZT03D200	文件：275.68 Kbytes Page：5 Pages	SiliconZener-DiodeswithSurgeCurrentSpecification Features •Glasspassivatedjunction •Hermeticallysealedpackage •Clampingtimeinpicoseconds Applications Mediumpowervoltageregulatorsandmediumpower transientsuppressioncircuits	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

产品属性

产品编号：
STP03D200
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 500µA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 30mA，10V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN DARL 1200V 0.1A TO220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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