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STN1A80	文件：535.51 Kbytes Page：6 Pages	Bi-Directional Triode Thyristor GeneralDescription ThisdeviceissuitableforlowpowerACswitchingapplication,phasecontrolapplicationsuchasfanspeedandtemperaturemodulationcontrol,lightingcontrolandstaticswitchingrelay. Features ◆RepetitivePeakOff-StateVoltage:600/800V ◆R.M.SOn-StateCurrent(IT(R	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
STN1A80	文件：128.229 Kbytes Page：1 Pages	Silicon Bidirectional Triode Thyristors GENERALDESCRIPTION Designedforuseinsolidstaterelays,MPUinterface,TTLlogicandanyotherlightindustrialorconsumerapplication.SuppliedinaninexpensiveTO-92packagewhichisreadilyadaptableforuseinautomaticinsertionequipment.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
STN1A80	文件：406.53 Kbytes Page：5 Pages	Logic Level Bi-Directional Triode Thyristor	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
STN1A80	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率器件-双向可控硅;	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
TN1A80	文件：1.58999 Mbytes Page：6 Pages	SensitiveTriac GeneralDescription ThisdeviceissuitableforlowpowerACswitchingapplication,phasecontrolapplicationsuchasfanspeedandtemperaturemodulationcontrol,lightingcontrolandstaticswitchingrelaywherehighsensitivityisrequiredinallfourquadrants. Thisdevicemaysubstitute	APOLLOELECTRON Apollo Electron Co., Ltd.	APOLLOELECTRON
WTN1A80	文件：266.52 Kbytes Page：4 Pages	Bi-DirectionalTriodeThyristor	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi

技术参数

VDRM[V]：
800
IGTⅠ-Ⅲ[mA]：
5
IGTⅥ[mA]：
7
VGTⅠ-Ⅲ[V]：
1.2
VGTⅥ[V]：
1.5
IDRM[mA]：
0.5
VT[V]：
1.5
IH[mA]：
5
(dv/dt)C[V/US]：
10
Package：
TO-92

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