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STN1A60	文件：535.51 Kbytes Page：6 Pages	Bi-Directional Triode Thyristor GeneralDescription ThisdeviceissuitableforlowpowerACswitchingapplication,phasecontrolapplicationsuchasfanspeedandtemperaturemodulationcontrol,lightingcontrolandstaticswitchingrelay. Features ◆RepetitivePeakOff-StateVoltage:600/800V ◆R.M.SOn-StateCurrent(IT(R	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
STN1A60	文件：128.229 Kbytes Page：1 Pages	Silicon Bidirectional Triode Thyristors GENERALDESCRIPTION Designedforuseinsolidstaterelays,MPUinterface,TTLlogicandanyotherlightindustrialorconsumerapplication.SuppliedinaninexpensiveTO-92packagewhichisreadilyadaptableforuseinautomaticinsertionequipment.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
STN1A60	文件：353.42 Kbytes Page：5 Pages	Logic Level Bi-Directional Triode Thyristor GeneralDescription Generalpurposeswitchingandphasecontrolapplications.Thesedevicesareintendedtobeinterfaceddirectlytomicrocontrollers,logicintegratedcircuitsandotherlowpowergatetriggercircuitssuchasfanspeedandtemperaturemodulationcontrol,lightingcontrolandst	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
STN1A60	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率器件-双向可控硅;	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
STN1A60S	文件：368.44 Kbytes Page：5 Pages	Logic Level Bi-Directional Triode Thyristor GeneralDescription Generalpurposeswitchingandphasecontrolapplications.Thesedevicesareintendedtobeinterfaceddirectlytomicrocontrollers,logicintegratedcircuitsandotherlowpowergatetriggercircuitssuchasfanspeedandtemperaturemodulationcontrol,lightingcontrolandst	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi

技术参数

VDRM[V]：
600
IGTⅠ-Ⅲ[mA]：
5
IGTⅥ[mA]：
7
VGTⅠ-Ⅲ[V]：
1.2
VGTⅥ[V]：
1.5
IDRM[mA]：
0.5
VT[V]：
1.5
IH[mA]：
5
(dv/dt)C[V/US]：
10
Package：
TO-92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	STN1A60	semiWell	05+	原厂原装	3654	自己公司全新库存绝对有货	询价
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