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STL8N10LF3	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车级N沟道100 V、25 mOhm典型值、7.8 A STripFET F3功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装 This device is an N-channel Power MOSFET developed using STripFET™ F3 technology. It is designed to minimize on-resistance and gate charge to provide superior switching performance. • AEC-Q101 qualified \n• Logic level VGS(th) \n• 175 °C maximum junction temperature \n• 100% avalanche rated \n• Wettable flank package;	ST 意法半导体	ST
STL8N10LF3	文件：850.49 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 100 V, 25 mA typ., 7.8 A STripFET III Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package 文件：850.49 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STL90N10F7	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN5X6	ST/意法上传：深圳市富芯乐电子科技有限公司	ST/意法
STLD40DPUR	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN8	ST 上传：深圳市赛特兴科技有限公司	ST
STLD40DPUR	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN8	STM 信盛精工上传：深圳市力拓辉电子有限公司	STM

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深圳市南科功率半导体有限公司	STL8N10LF3	NK/南科功率	2025+	DFN5X6	3150	国产南科平替供应大量	询价
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更多STL8N10LF3供应商更新时间2026-1-30 17:32:00