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STL8DN6LF3	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车级双路N沟道60 V、22.5 mOhm典型值、7.8 A STripFET F3功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双岛封装 This device is an N-channel Power MOSFET developed using STripFET F3 technology. It is designed to minimize on-resistance and gate charge to provide superior switching performance. • AEC-Q101 qualified \n• 175 °C maximum junction temperature \n• Wettable flank package;	ST 意法半导体	ST
STL8DN6LF3	文件：1.043589 Mbytes Page：18 Pages	Automotive-grade dual N-channel 60 V, 22.5 m typ., 7.8 A STripFET III Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island package 文件：1.043589 Mbytes 页数：18 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STL90N10F7	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN5X6	ST/意法上传：深圳市富芯乐电子科技有限公司	ST/意法
STLD40DPUR	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN8	ST 上传：深圳市赛特兴科技有限公司	ST
STLD40DPUR	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN8	STM 信盛精工上传：深圳市力拓辉电子有限公司	STM

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更多STL8DN6LF3供应商更新时间2025-12-1 9:03:00