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STL8DN10LF3	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车级双路N沟道100 V、25 mOhm典型值、7.8 A STripFET F3功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双岛封装 This device is an N-channel Power MOSFET developed using STripFET™ F3 technology. It is designed to minimize on-resistance and gate charge to provide superior switching performance. • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified \n• Logic level VGS(th) \n• 175 °C maximum junction temperature \n• 100% avalanche rated \n• Wettable flank package;	ST 意法半导体	ST
STL8DN10LF3	文件：917.81 Kbytes Page：15 Pages	丝印：8DN10LF3；Package：PowerFLAT5x6doubleisland；Automotive-grade dual N-channel 100 V, 25 m??typ., 7.8 A STripFET??F3 Power MOSFET in a PowerFLAT??5x6 double island package 文件：917.81 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STL90N10F7	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST/意法 DFN5X6	ST/意法上传：深圳市富芯乐电子科技有限公司	ST/意法
STLD40DPUR	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST QFN8	ST 上传：深圳市赛特兴科技有限公司	ST
STLD40DPUR	文件：0 bytes Page：0 Pages	STM QFN8	STM 信盛上传：深圳市力拓辉电子有限公司	STM

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更多STL8DN10LF3供应商更新时间2025-10-13 17:23:00