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STL80N75F6中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

STL80N75F6

功能描述

N-channel 75 V, 4.5 m typ., 18 A STripFET DeepGATE VI Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 package

文件大小

1.03776 Mbytes

页面数量

15

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-23 15:23:00

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STL80N75F6规格书详情

描述 Description

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6th generation of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages.

• Low gate charge

• Very low on-resistance

• High avalanche ruggedness

Applications

• Switching applications

产品属性

  • 型号:

    STL80N75F6

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 75V 0.0051 Ohm 18A STripFET VI

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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