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STL80N75F6	文件：1.03776 Mbytes Page：15 Pages	N-channel 75 V, 4.5 m typ., 18 A STripFET DeepGATE VI Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 package Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingthe6thgenerationofSTripFET™DeepGATE™technology,withanewgatestructure.TheresultingPowerMOSFETexhibitsthelowestRDS(on)inallpackages. •Lowgatecharge •Verylowon-resistance •Highavalancheru	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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STL80N75F6

文件：1.03776 Mbytes

Page：15 Pages

N-channel 75 V, 4.5 m typ., 18 A STripFET DeepGATE VI Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 package

Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingthe6thgenerationofSTripFET™DeepGATE™technology,withanewgatestructure.TheresultingPowerMOSFETexhibitsthelowestRDS(on)inallpackages. •Lowgatecharge •Verylowon-resistance •Highavalancheru

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STL80N75F6
功能描述：
MOSFET N-Ch 75V 0.0051 Ohm 18A STripFET VI
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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