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STL19N60M6	文件：575.02 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 600 V, 255 m typ., 11 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Features •Reducedswitchinglosses •LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •Zener-protected Description ThenewMDmeshM6technologyincorporatesthemostrecentadvancementstothe well-knownandconsolidatedMDmeshfamilyof	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
19N60M6	文件：575.02 Kbytes Page：14 Pages	N-channel600V,255mtyp.,11AMDmeshM6PowerMOSFETinaPowerFLAT8x8HVpackage Features •Reducedswitchinglosses •LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •Zener-protected Description ThenewMDmeshM6technologyincorporatesthemostrecentadvancementstothe well-knownandconsolidatedMDmeshfamilyof	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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N-channel 600 V, 255 m typ., 11 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

Features •Reducedswitchinglosses •LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •Zener-protected Description ThenewMDmeshM6technologyincorporatesthemostrecentadvancementstothe well-knownandconsolidatedMDmeshfamilyof

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更多STL19N60M6供应商更新时间2025-5-27 17:09:00

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