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STL160N3LLH6规格书详情
Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6th generation of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages.
Features
■ RDS(on) * Qg industry benchmark
■ Extremely low on-resistance RDS(on)
■ Very low switching gate charge
■ High avalanche ruggedness
■ Low gate drive power losses
Applications
■ Switching applications
产品属性
- 型号：
STL160N3LLH6
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 30V 0.0011 Ohm 35A STripFET VI
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
QFN8 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
STM原厂目录 |
24+ |
PowerFLAT5x6 |
28500 |
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
24+ |
原厂原装 |
5850 |
原装正品 现货库存价格优势! |
询价 | ||
ST |
12+ |
QFN8 |
178 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2023+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
ST |
PowerFLAT |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
询价 | |||
ST |
21+ |
QFN8 |
2691 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
PowerFLAT5x6 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
PowerFlat?(5x6) |
3000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
6900 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
