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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
STL135N8F7AG | 汽车级N沟道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装 该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。 • 专为汽车应用设计并通过AEC-Q101认证 \n• 处于市面上最低的 RDS(on) 行列 \n• 出色的品质因数（FoM） \n• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力 \n• 侧面可焊性封装; | ST 意法半导体 | ST | |
STL135N8F7AG | Automotive-grade N-channel 80 V 文件：1.00362 Mbytes 页数：14 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
QFN | ST | ST | ||
DFN5X6 | STM | |||
DFN5X6 | ST 上传：深圳诚思涵科技有限公司 | ST |
技术参数
- Package：
PowerFLAT 5x6 WF
- Grade：
Automotive
- VDSS(V)：
80
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.0036
- Drain Current (Dc)_max(A)：
130
- PTOT_max(W)：
135
- Qg_typ(nC)：
103
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
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ST(意法) |
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8-PowerVDFN |
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STMicroelectronics |
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PowerFlat?(5x6) |
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STM |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
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ST |
22+ |
8PowerVDFN |
9000 |
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ST/意法半导体 |
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PowerFLAT-5x6-8 |
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更新时间2025-12-12 15:30:00
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- TC1411
- TC1410N
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