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STL128DN分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

STL128DN
厂商型号

STL128DN

参数属性

STL128DN 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 4A TO220

功能描述

High voltage fast-switching NPN power transistor
TRANS NPN 400V 4A TO220

封装外壳

TO-220-3

文件大小

425.38 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
STMICROELECTRONICS
数据手册

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更新时间

2025-8-3 10:30:00

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STL128DN规格书详情

STL128DN属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由意法半导体集团制造生产的STL128DN晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

描述 Description

The device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies.

特性 Features

■ High voltage capability

■ Low spread of dynamic parameters

■ Very high switching speed

■ Large RBSOA

■ Integrated antiparallel collector-emitter diode

Applications

■ Electronic ballast for fluorescent lighting

■ Flyback and forward single transistor low power converters

产品属性

更多
  • 产品编号:

    STL128DN

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 400mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    250µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 10mA,5V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 400V 4A TO220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
22+
9000
原厂渠道,现货配单
询价
ST/意法
24+
N/A
5000
原装分货 强势渠道
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ST/意法
24+
TO-220
43200
郑重承诺只做原装进口现货
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ST/意法
1518+
TO-220
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只做原装正品
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ST
24+
TO220TypeE
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ST/意法半导体
25+
PowerFLAT-8
6000
原厂原装 欢迎询价
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TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
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ST/意法
22+
TO-220
20000
原装现货,实单支持
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ST/意法半导体
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原厂封装
10280
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