STI4N62K3中文资料N沟道620 V、1.7 Ohm典型值、3.8 A SuperMESH3(TM) 功率MOSFET，I2PAK封装数据手册ST规格书
STI4N62K3规格书详情
描述 Description
These SuperMESH3™ Power MOSFETs are the result of improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology, combined with a new optimized vertical structure. These devices boast an extremely low on-resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, rendering them suitable for the most demanding applications.
特性 Features
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt capability
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitance
• Improved diode reverse recovery characteristics
• Zener-protected
技术参数
- 制造商编号
：STI4N62K3
- 生产厂家
：ST
- Package
：I2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：620
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：2
- Drain Current (Dc)_max(A)
：3.8
- PTOT_max(W)
：70
- Qg_typ(nC)
：22
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-262-3 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-262-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO-262 |
20000 |
优势供应 实单必成 可开增值税13点 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-262-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-262-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-262 |
5000 |
原装正品实单必成 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ST |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
