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STI33N60M6	文件：430.5 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 600 V, 105 m typ., 25 A, MDmesh M6 Power MOSFET in an I2PAK package Features •Reducedswitchinglosses •LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •Zener-protected Description ThenewMDmeshM6technologyincorporatesthemostrecentadvancementstothe well-knownandconsolidatedMDmeshfamilyof	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF33N60M6	文件：255.85 Kbytes Page：13 Pages	N-channel600V,105mtyp.,25A,MDmesh™M6PowerMOSFETinaTO-220FPpackage Features •Reducedswitchinglosses •LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •Zener-protected Description ThenewMDmesh™M6technologyincorporatesthemostrecentadvancementsto thewell-knownandconsolidatedMDmeshfamilyof	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STL33N60M6	文件：379.14 Kbytes Page：15 Pages	N-channel600V,0.115typ.,21AMDmeshTMM6PowerMOSFETinaPowerFLATTM8x8HVpackage Features •Reducedswitchinglosses •LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •Zener-protected Description ThenewMDmesh™M6technologyincorporatesthemostrecentadvancementsto thewell-knownandconsolidatedMDmeshfamilyof	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STO33N60M6	文件：1.56306 Mbytes Page：15 Pages	N-channel600V,105m廓typ.,25A,MDmeshM6PowerMOSFETinaTO?멛Lpackage	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP33N60M6	文件：256.76 Kbytes Page：13 Pages	N-channel600V,105mtyp.,25A,MDmesh™M6PowerMOSFETinaTO-220package Features •Reducedswitchinglosses •LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •Zener-protected Description ThenewMDmeshTMM6technologyincorporatesthemostrecentadvancementsto thewell-knownandconsolidatedMDmeshfamilyo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW33N60M6	文件：266.15 Kbytes Page：13 Pages	N-channel600V,105mtyp.,25A,MDmeshTMM6PowerMOSFETinaTO-247package Features •Reducedswitchinglosses •LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •Zener-protected Description ThenewMDmesh™M6technologyincorporatesthemostrecentadvancementsto thewell-knownandconsolidatedMDmeshfamilyof	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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