STI11NM80中文资料N-channel 800 V, 0.35 Ohm, 11 A MDmesh(TM) Power MOSFET in I2PAK数据手册ST规格书
STI11NM80规格书详情
描述 Description
These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.
特性 Features
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
• Best RDS(on)*Qg in the industry
技术参数
- 制造商编号
：STI11NM80
- 生产厂家
：ST
- Package
：I2PAK
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：800
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.4
- Drain Current (Dc)_max(A)
：11
- PTOT_max(W)
：150
- Qg_typ(nC)
：44
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
22+ |
TO2623 Long Leads I2Pak TO262A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST |
23+24 |
TO-262 |
17415 |
专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC |
询价 | ||
22+ |
NA |
3000 |
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询价 | |||
ST |
0826+ |
TO-262 |
4900 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ADI/亚德诺 |
2511 |
原封装 |
66900 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
9999 |
询价 | |||
ST/意法 |
23+ |
TO-262 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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询价 |
