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STH90N55F4-2中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

STH90N55F4-2

功能描述

N-channel 55 V, 0.0064 Ω, 90 A, H2PAK STripFET™ DeepGATE™ Power MOSFET

丝印标识

90N55F4

封装外壳

H2PAK

文件大小

768.43 Kbytes

页面数量

16

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-11 23:00:00

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STH90N55F4-2规格书详情

特性 Features

■ Exceptional dv/dt capability

■ Extremely low on-resistance RDS(on)

■ 100 avalanche tested

Applications

■ Switching applications

描述 Description

The device is N-channel Power MOSFETs

developed using ST’s STripFET™ DeepGATE™

technology. The device has a new gate structure

and is specially designed to minimize on-state

resistance to provide superior switching

performance.

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