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STH175N4F6-6AG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Automotive-grade N-channel 40 V, 1.9 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 package; • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified\n• Very low on-resistance\n• Very low gate charge• High avalanche ruggedness\n• Low gate drive power loss; These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on)in all packages.\n \n	STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	ST
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STH175N4F6-6AG

文件：300 bytes

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Automotive-grade N-channel 40 V, 1.9 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 package; • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified\n• Very low on-resistance\n• Very low gate charge• High avalanche ruggedness\n• Low gate drive power loss;

These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on)in all packages.\n \n

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Very low on-resistance

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技术参数

Package：
H2PAK-6
Grade：
Automotive
VDSS(V)：
40
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.0024
Drain Current (Dc)_max(A)：
120
PTOT_max(W)：
150
Qg_typ(nC)：
130

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更多STH175N4F6-6AG供应商更新时间2024-2-29 11:17:00

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