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STH180N10F3-2	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道100 V、3.9 mOhm典型值、180 A STripFET F3功率MOSFET，H2PAK-2封装 This device is an N-channel Power MOSFET developed using STripFET F3 technology. It is designed to minimize on-resistance and gate charge to provide superior switching performance. • Ultra low on-resistence \n• 100% avalanche tested;	ST 意法半导体	ST
STH180N10F3-2	文件：957.42 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 100 V, 3.9 milliohm, 180 A, H2PAK-2 STripFET III Power MOSFET 文件：957.42 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STH180N10F3-2	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	ST 上传：深圳市纳立科技有限公司	ST
STH240N75F3-6	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO263-7	ST 上传：深圳市力拓辉电子有限公司	ST
STH3N150-2	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	ST 上传：深圳市佳斯泰科技有限公司	ST

技术参数

Package：
H2PAK-2
Grade：
Industrial
VDSS(V)：
100
RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：
0.0045
Drain Current (Dc)_max(A)：
180
PTOT_max(W)：
315
Qg_typ(nC)：
114.6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市纳立科技有限公司	STH180N10F3-2	ST	17+	TO-263	206	原装正品，公司现货	询价
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更多STH180N10F3-2供应商更新时间2026-2-9 9:18:00

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