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STH170N8F7-2	文件：314.24 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：314.24 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STH170N8F7-2	文件：823.52 Kbytes Page：15 Pages	High avalanche ruggedness 文件：823.52 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STH170N8F7-2	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道80 V、0.0028 Ohm典型值、120 A STripFET F7功率MOSFET，H2PAK-2封装该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。 • 处于市面上最低的RDS(on)行列 \n• 较低的 Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力;	ST 意法半导体	ST
STH180N10F3-2	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	ST 上传：深圳市纳立科技有限公司	ST
STH240N75F3-6	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO263-7	ST 上传：深圳市力拓辉电子有限公司	ST

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更多STH170N8F7-2供应商更新时间2025-12-11 20:39:00