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STH130N10F3-2中文资料PDF规格书
STH130N10F3-2规格书详情
Description
These devices are N-channel enhancement mode Power MOSFETs produced using STMicroelectronics’ STripFET™ III technology, which is specifically designed to minimize on-resistance and gate charge to provide superior switching performance.
Features
■ Ultra low on-resistance
■ 100 avalanche tested
Applications
■ High current switching applications
产品属性
- 型号:
STH130N10F3-2
- 功能描述:
MOSFET N-Ch 100V 7.8 mOhm 120 A STripFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
H2PAK-2 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
H2PAK-2 |
6000 |
原装现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
3918 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST |
22+ |
H2PAK-2 |
30000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST |
TO263 |
699839 |
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询价 | |||
ST/意法 |
14+ |
NA |
880000 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
H2PAK-2 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
N/A |
589610 |
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询价 | ||
ST/意法 |
TO263 |
265209 |
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询价 | |||
ST-意法半导体 |
24+25+/26+27+ |
TO-263-3 |
9328 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 |