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STH130N10F3-2中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

厂商型号 |
STH130N10F3-2 |
功能描述 | N-channel 100 V, 7.8 m廓 typ., 120 A STripFET?줚II Power MOSFET in TO-220FP, I짼PAKFP, H짼PAK-2 and TO-220 packages |
文件大小 |
1.21928 Mbytes |
页面数量 |
23 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体集团官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-23 16:29:00 |
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STH130N10F3-2规格书详情
Description
These devices are N-channel enhancement mode Power MOSFETs produced using STMicroelectronics’ STripFET™ III technology, which is specifically designed to minimize on-resistance and gate charge to provide superior switching performance.
Features
■ Ultra low on-resistance
■ 100 avalanche tested
Applications
■ High current switching applications
产品属性
- 型号:
STH130N10F3-2
- 功能描述:
MOSFET N-Ch 100V 7.8 mOhm 120 A STripFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
25+ |
TO-263 |
35400 |
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ST/意法半导体 |
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ST |
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ST/意法半导体 |
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H2PAK-2 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
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ST/意法半导体 |
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H2PAK-2 |
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