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STGWA50M65DF2

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 50 A low loss

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STGWA50M65DF2

包装:管件 封装/外壳:TO-247-3 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

产品属性

  • 产品编号:

    STGWA50M65DF2

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    M

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,50A

  • 开关能量:

    880µJ(开),1.57mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    42ns/130ns

  • 测试条件:

    400V,50A,6.8 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247 长引线

  • 描述:

    TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

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更多STGWA50M65DF2供应商 更新时间2024-5-22 17:07:00