STGWA40IH65DF中文资料650 V、40 A软开关沟槽栅场截止IH系列IGBT，TO-247长引线封装数据手册ST规格书

描述 Description

最新推出的IGBT 650 V软开关IH系列在设计时采用先进的专有沟槽栅场截止结构，优化了传导和开关损耗方面的性能，适用于软换向应用。包含具有正向低压降的续流二极管。因此，该产品经过专门设计之后可以确保任何谐振和软开关应用的效率最大化。

特性 Features

• 专为软换向而设计
• 最大结温：TJ = 175 °C
• VCE(sat) = 1.5 V (typ.) @ IC = 40 A
• 最小尾电流
• 紧凑参数分布
• 低热阻
• 采用共封装的低压降续流二极管
• 正VCE(sat)温度系数

简介

STGWA40IH65DF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGWA40IH65DF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。