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STGWA40H120DF2 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 STMICROELECTRONICS/意法半导体
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原厂料号:STGWA40H120DF2品牌:ST/意法半导体
全新原装正品支持含税
STGWA40H120DF2是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商ST/意法半导体/STMicroelectronics生产封装TO-247-3的STGWA40H120DF2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 类型
描述
- 产品编号:
STGWA40H120DF2
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.6V @ 15V,40A
- 开关能量:
1mJ(开),1.32mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
18ns/152ns
- 测试条件:
600V,40A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247-3
- 描述:
TRENCH GATE IGBT TO247 PKG
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