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STGW30M65DF2	文件：726.59 Kbytes Page：19 Pages	Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 30 A low loss	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGW30M65DF2	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
G30M65DF2	文件：695.31 Kbytes Page：16 Pages	Lowthermalresistance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGB30M65DF2	文件：881.96 Kbytes Page：18 Pages	Lowthermalresistance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STGP30M65DF2	文件：372.21 Kbytes Page：4 Pages	TrenchgateField-StopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=30A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STGP30M65DF2	文件：695.31 Kbytes Page：16 Pages	Lowthermalresistance	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGWA30M65DF2	文件：726.59 Kbytes Page：19 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Mseries650V,30Alowloss	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGW30M65DF2
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，30A
开关能量：
300µJ（开），960µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
31.6ns/115ns
测试条件：
400V，30A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

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