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STGW10M65DF2分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
STGW10M65DF2 |
| 参数属性 | STGW10M65DF2 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE |
| 功能描述 | Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low loss |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
928.21 Kbytes |
| 页面数量 |
16 页 |
| 生产厂商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名称 | 意法半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-14 23:01:00 |
| 人工找货 | STGW10M65DF2价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
STGW10M65DF2规格书详情
STGW10M65DF2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGW10M65DF2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号:
STGW10M65DF2
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
M
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,10A
- 开关能量:
120µJ(开),270µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
19ns/91ns
- 测试条件:
400V,10A,22 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247-3
- 描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-247-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
TO-247 |
9850 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-247-3 |
8860 |
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询价 | ||
ST/意法 |
2025+ |
5000 |
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询价 | |||
ST/ |
24+ |
TO-247 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-247-3 |
16900 |
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ST(意法半导体) |
2447 |
TO-247 |
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STMicroelectronics |
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