首页>STGW10M65DF2>规格书详情
STGW10M65DF2分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
STGW10M65DF2 |
| 参数属性 | STGW10M65DF2 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE |
| 功能描述 | Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low loss |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
928.21 Kbytes |
| 页面数量 |
16 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-26 22:59:00 |
| 人工找货 | STGW10M65DF2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STGW10M65DF2规格书详情
STGW10M65DF2属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGW10M65DF2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
更多- 产品编号：
STGW10M65DF2
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
M
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，10A
- 开关能量：
120µJ（开），270µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
19ns/91ns
- 测试条件：
400V，10A，22 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
STMicroelectronics |
24+ |
TO-247-3 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-247 |
12500 |
ST系列在售,可接长单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-247-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-247 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-247-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/ |
24+ |
TO-247 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-247-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 |
