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STP7NB60	文件：115.5 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPowerMESHMOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)pera	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP7NB60	文件：271.3 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL600V-1.0廓-7.2ATO-220/TO-220FPPowerMESH??MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP7NB60	文件：371.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP7NB60	文件：319.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP7NB60FP	文件：115.5 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPowerMESHMOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)pera	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP7NB60FP	文件：271.3 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL600V-1.0廓-7.2ATO-220/TO-220FPPowerMESH??MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STGP7NB60HDFP
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全称：
STMicroelectronics
功能描述：
N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBT

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